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    英飛凌EiceDRIVER?驅動碳化硅(SiC) MOSFET

    編輯 :

    深圳逸盛通科技有限公司

    時間 : 2018-10-22 21:04 瀏覽量 : 118

    英飛凌EiceDRIVER?驅動碳化硅(SiC) MOSFET

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    碳化硅(SiC) MOSFET具有極佳的快速開關性能,英飛凌提供1200伏的CoolSiC? 碳化硅(SiC) MOSFET以供客戶選擇。

     

    英飛凌的隔離型門極驅動,基于無鐵芯變壓器技術,以其強大的驅動能力和保護功能而著稱,可以輕松地驅動1200伏的碳化硅(SiC) MOSFET,并提供可靠的電氣隔離。想要了解更多英飛凌隔離型門極驅動的信息,請參考英飛凌門極驅動選型指南。

     

    以下這些驅動芯片擁有許多驅動碳化硅(SiC) MOSFET的關鍵優勢,極短的傳輸延遲,精準的通道間匹配和輸入濾波,超寬的輸出范圍和負電壓驅動能力,以及極佳的共模瞬變抗擾度(CMTI)。

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    產品特性

    • 提供3.8 mm的DSO-8窄體封裝,及7.6 mm爬電距離的DSO寬體封裝

    • 能夠在高溫環境下工作

    • 提供有源米勒鉗位功能

    • 提供短路電流鉗位與有源安全關斷

    • 共模瞬變抗擾度(CMTI)高于100 kV/μs

    • 精準的退飽和保護功能(DESAT)

    • 欠壓鎖定額定閾值為 12 V/11 V

       

    推薦的門極驅動芯片(英飛凌igbt廠家


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