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    英飛凌IGBT廠家 > 英飛凌IGBT > 英飛凌電源管理IGBT FZ1500R33HE3 1500A 3300V
    • 產品名稱: 英飛凌電源管理IGBT FZ1500R33HE3 1500A 3300V

    • 產品類型: 英飛凌IGBT

    • 產品型號: FZ1500R33HE3

    • 發布時間: 2018-09-15


    產品描述

    此款電源管理模塊 FZ1500R33HE3IGBT 的轉移特性是


    指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關系曲線。它與 MOSFET 的轉移特性相同,當柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時, IGBT 處于關斷狀 態。在 IGBT 導通后的大部分漏極電 流范圍內, Id 與 Ugs 呈線性關系。最高柵源電 壓受最大漏極電流限 制,其最佳值一般取為 15V 左右。 IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。 IGBT 處于導通態時,由于 它的 PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結構,但 流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時,通態電壓 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh ( 2 - 14 ) 式中 Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為 0.7 ~ IV ; Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降; Roh ——溝道電阻。 通態電流 Ids 可用下式表示: Ids=(1+Bpnp)Imos (2 - 15 ) 式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。由于 N+ 區存在電導調制效應,所以 IGBT 的通態壓降小,耐壓 1000V 的 IGBT 通態壓降為 2 ~ 3V 。 IGBT 處于斷態時,只有很小的泄漏電流存在。 2 .動態特性 IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為 MOSFET 來運行的,只是在 漏源電壓 Uds 下降過程后期, PNP 晶體 管由放大區至飽和,又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間, tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成,IGBT 在關斷過程中,漏極電流的波形變為兩段。因為 MOSFET 關斷后, PNP 晶體 管的存儲電荷難以迅速消除,造成漏極電流較長的尾部時間, td(off) 為關斷延遲時間, trv 為電壓 Uds(f) 的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間 Tf 由圖 2 - 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成,而漏極電流的關斷時間


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